【摘 要】
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报道1种在垂直远场方向上产生2个极窄的稳定对称光斑多量子阱边发射半导体激光器,在其有源区两侧设计布拉格反射波导结构.制备100μm条宽的边发射激光器,在垂直方向±33.4°
【机 构】
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华侨大学信息科学与工程学院,北京工业大学电子信息与控制工程学院,牡丹电子集团有限公司,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
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报道1种在垂直远场方向上产生2个极窄的稳定对称光斑多量子阱边发射半导体激光器,在其有源区两侧设计布拉格反射波导结构.制备100μm条宽的边发射激光器,在垂直方向±33.4°附近实现2个稳定的7.2°对称的近圆形光斑,对器件镀膜后进行测试,在连续和脉冲工作条件下分别得到1.40,2.26 W的输出,器件的特征温度可达到91K.
A kind of stable symmetric spot MQW laser emitting diode with two very narrow and narrow polarities in the vertical far field is reported and a Bragg reflector waveguide is designed on both sides of the active region. Two stable 7.2 ° symmetrical near-circular spots near the ± 33.4 ° direction were tested. After the device was tested for coating, the output of 1.40 and 2.26 W were obtained under continuous and pulsed working conditions respectively, and the characteristic temperature of the device could reach 91K.
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