【摘 要】
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针对高压电源芯片的需要，提出了一种二次曲率补偿的带隙基准源。该电謦在传统带隙基准结构的基础上，利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数变化的规律，对带豫基准进行高阶温度补
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院,成都华微电子系统有限公司
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针对高压电源芯片的需要，提出了一种二次曲率补偿的带隙基准源。该电謦在传统带隙基准结构的基础上，利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数变化的规律，对带豫基准进行高阶温度补偿。该电路具有温度补偿精度高、电路结构简单且能输出高电位电压基准等优点。采用40ViCMOS高压工艺流片，仿真用Cadence软件中的speetre工具，流片后测试结果为，工作电源电压±12V，输出电压为-10．78V，在-55℃-125℃范围内，温度漂移系数为2．5ppm／℃，在20kHz时基准源输出电源抑制比为100dB。
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