【摘 要】
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在硅衬底上设计了一种单开口环谐振器,对其太赫兹频段内的透射性质进行了研究.假定通过光注入方式改变衬底硅的电导率,实现了谐振环的双谐振透射率可调.将砷化镓材料生长于该
【机 构】
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天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,天津300072;光电信息技术科学教育部重点实验室(天津大学),天津300072
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在硅衬底上设计了一种单开口环谐振器,对其太赫兹频段内的透射性质进行了研究.假定通过光注入方式改变衬底硅的电导率,实现了谐振环的双谐振透射率可调.将砷化镓材料生长于该谐振环的开口处,通过光注入方式改变砷化镓材料的电导率,可以实现谐振环的双频LC共振和偶极子共振模式与单频闭合环共振模式之间的转换.这种通过光注入改变半导体材料电导率的方法,可以在不破坏原来谐振器件物理结构的前提下,实现谐振环谐振模式的可逆转换.
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