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不久前，中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出了基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，其采用普通I—line、G-line光源获得了特征尺寸小于30nm的超分辨光刻图形。
我国纳米光刻技术研究取得突破
【摘 要】
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不久前，中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出了基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，其采
【出 处】
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光学仪器
【发表日期】
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2011年3期
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