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对DBR几何参量不同的InGaAs—GaAs—AlGaAs DBR半导体激光器样品的输出线宽进行了测量和分析．样品激光器DBR光栅取不同的长度和蚀刻深度以考察其几何特性对耦合系数、反射率以及输出线宽的影响．线宽通过自差频测量系统测量得到．对实验结果与理论计算结果进行了对比．对测得的光学特性参数与几何特性参数之间的联系进行了分析．在此基础上讨论了DBR几何特性对激光器输出线宽的影响．研究结果为该类型DBR半导体激光器的制造提供了有用的信息．