功率PHEMT器件大信号建模

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：greatkinghg

【摘要】

：

提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEMT/HEMT/HFET器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,

【作者】

：

刘军孙玲玲吴颜明

【机构】

：

杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2008年S1期

【关键词】

：

GaAs/GaN PHEMT/HEMT/HFET 大/小信号模型 VERILOG-A ADS2005A GaAs/GaN PHEMT/HEMT/HFET la

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提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEMT/HEMT/HFET器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现连续、高阶可导且导数精确的基础上,满足电荷守恒规律。模型综合考虑了器件弱雪崩击穿以及热效应特性,对器件跨导频率分布效应也作了灵活的考虑。模型以Verilog-A语言描述,并开发为DesignKit形式嵌入ADS2005A中。给出了对一GaAs基PHEMT器件建模结果,

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