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首次采用Na2S·9H2O在n^＋-p-HgCdTe表面进行化学硫化，然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示，经过化学硫化的n^＋-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明，化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度，避免了相应漏电流的形成。
n^＋-p-HgCdTe光伏探测器的化学硫化
【摘 要】
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首次采用Na2S·9H2O在n^＋-p-HgCdTe表面进行化学硫化，然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示，经过化学硫化的n^＋-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明
【机 构】
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中国空空导弹研究院
【出 处】
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航空兵器
【发表日期】
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2006年1期
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