基于肖特基栅共振隧穿三极管的器件模拟与实验分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：benq702

【摘要】

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通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT） .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的电流起到明显的控制作用.当集电极接地,栅极

【作者】

：

宋瑞良毛陆虹郭维廉余长亮

【机构】

：

天津大学电子信息工程学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

肖特基栅共振隧穿三极管器件模拟耗尽区 Schottky gate resonant tunneling transistor device simulat

【基金项目】

：

国防科技重点实验室资助项目

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通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT） .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的电流起到明显的控制作用.当集电极接地,栅极电压会主要影响峰值电压,其原因是栅极电压和发射极、集电极的电场分布将会改变耗尽区的分布.实验测试结果对这种现象也予以证实.

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