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离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空住扩散(IFVD)方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合(QWI)的重要方法。本文采用磷离子注入(注入能量为160keV,剂量分别为1×10^11,1×10^12,1×10^13,3×10^13,7×10^14ion/cm^2)和用无杂质空位扩散(PECVD 200nm SiO2电介质膜)相结合的方法来实现InGaAsP/InP多量子阱的混合(高纯氮保护下进行快速热退火,退火温度为780℃,退火时间为