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淀积合金薄膜的 Si 片退火时,通过固相反应在界面处生成接触过渡层,其组分与结构均不同于一般条件下生成的硅化物.本文介绍了 Pd 合金/Si接触过渡层的形成工艺,对接触过渡层的结构组分进行了分析与讨论.基于“相分层”效应,可用掺氮或掺氧的方法提高阻挡层的质量.
Pd合金／Si接触过渡层的结构组分研究
【摘 要】
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淀积合金薄膜的 Si 片退火时,通过固相反应在界面处生成接触过渡层,其组分与结构均不同于一般条件下生成的硅化物.本文介绍了 Pd 合金/Si接触过渡层的形成工艺,对接触过渡层
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理系,白俄罗斯明斯克无线电工程学院
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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1992年2期
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