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,Fabrication and Characterization of 1700 V 4H-SiC Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconduct
【机 构】
：
Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics,Ch
【出 处】
：
中国物理快报（英文版）
【发表日期】
：
2015年12期
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