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我们用ＳＴＭ在低压大电流条件下对Ｓｉ（１１１）７×７表面进行了原子操纵研究，这种方法即可从表面提出原子而形成沟槽结构，又可将提出的原子重新植入样品形成一维凸起，在样品形成有序排列，从而成功地实现了对原子群体的“有序移植”。
用STM在Si（111）7×7表面进行“有序移植”
【摘 要】
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我们用ＳＴＭ在低压大电流条件下对Ｓｉ（１１１）７×７表面进行了原子操纵研究，这种方法即可从表面提出原子而形成沟槽结构，又可将提出的原子重新植入样品形成一维凸起，在样品形成有序排列，从而成功
【机 构】
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中国科学院北京真空物理实验室
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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1997年6期
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