【摘 要】
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针对不同基底偏压下制备的MoSi2薄膜呈现不同结构及性能的问题,采用直流磁控溅射工艺,在单晶硅表面制备了MoSi2薄膜。采用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、原子力显微镜和纳米
【机 构】
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河南科技大学材料科学与工程学院,河南科技大学金属材料磨损与成型控制国家与地方联合工程研究中心,洛阳爱科麦钨钼科技股份有限公司
【基金项目】
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国家“十三五”重点研发计划基金项目(2017YFB0306000),国家自然科学基金项目(U1704152)
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针对不同基底偏压下制备的MoSi2薄膜呈现不同结构及性能的问题,采用直流磁控溅射工艺,在单晶硅表面制备了MoSi2薄膜。采用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、原子力显微镜和纳米压痕仪等分析手段,探究了基底偏压对磁控溅射沉积MoSi2薄膜形貌结构、生长特性、组织和性能的影响。研究结果表明:不同基底偏压制备的薄膜主要为六方相MoSi2,且存在明显的(111)面择优取向。基底偏压和基底温度的协同作用,使薄膜的自退火效应更加明显。随着基底偏压的增加,薄膜的结晶效果显著提高,并出现四方相MoSi2和Mo5Si3相。基底
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