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采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件（QD-LEDs）。PEDOT作为空穴注入层，TFB作为空穴传输层，量子点作为发光层，采用无机二氧化钛（TiO2）作为电子传输层，在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速（800～1100 r/min），制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件（QD-LEDs）。实验结果表明，当量子点层的旋涂转速为900 r/min时，此时的量子点层厚度为30 nm，所制备的量子点发光二极管器件（QD-LEDs）的发光性能最好，开启电压最低，只有5．5 V。