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用直流反应磁控溅射法在陶瓷基片上制备出TiO2薄膜。并进行1100℃,2h的退火处理。配置钼酸铵溶液,利用浸渍法处理TiO2薄膜若干时间。取出后,进行500℃,3h退火处理。用气敏测试箱对制备出的TiO2薄膜的氧敏特性进行试验测试,发现对氧气有很好的敏感特性,比未经此项工艺处理的TiO2薄膜的最佳工作温度降低100℃,为300℃左右,并进行SEM测试,分析其表面结构,研究气敏机理。