【摘 要】
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为将单晶硅的吸收限拓展至近红外波段以满足光通讯之需求,利用纳秒激光脉冲辐照单晶硅表面制得了表面结构化的硅.研究了能量密度从0.39 J/cm^2到24 J/cm^2的激光脉冲辐照后结
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室
【基金项目】
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National Natural Science Foundation of China(No.61775077)
论文部分内容阅读
为将单晶硅的吸收限拓展至近红外波段以满足光通讯之需求,利用纳秒激光脉冲辐照单晶硅表面制得了表面结构化的硅.研究了能量密度从0.39 J/cm^2到24 J/cm^2的激光脉冲辐照后结构化硅表面的形貌差异.测试并分析了不同能量密度的激光脉冲辐照后结构化硅的反射率、透过率和吸收率等光学性质.研究发现,相比于单晶硅衬底,所有结构化硅样品都表现出近红外吸收增强特性,对1500 nm的近红外光的吸收率高达55%.进而对改性硅样品的红外吸收的热稳定性进行了研究.在473~1073 K的温度范围内对改性硅样品进行退火,
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