【摘 要】
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将MgF2超薄层嵌入有机电致发光器件(OLED)的空穴传输层NPB中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列OLED。测试结果表明,合适厚度的Mg
【机 构】
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太原理工大学理学院物理系,太原理工大学教育部新材料界面与工程重点实验室,
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将MgF2超薄层嵌入有机电致发光器件(OLED)的空穴传输层NPB中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列OLED。测试结果表明,合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率。MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未嵌入MgF2器件降低2V;MgF2厚度为1.0nm的器件最大电流效率达到3.93cd/A,最大光功率效率达到1.58lm/W,较未嵌入MgF2器件分别提高95%和110%。
The MgF2 ultrathin layer was embedded in the hole transport layer NPB of organic electroluminescent device (OLED), and the structure of ITO / NPB (10nm) / MgF2 (xnm) / NPB (20nm) / Alq3 30nm) a series of OLED. The test results show that MgF2 with the proper thickness can effectively reduce the turn-on voltage of the device and improve the luminous efficiency of the device. The device with 2.5nm thickness of MgF2 has a turn-on voltage of only 2.3V, which is 2V lower than that without MgF2. The maximum current efficiency of the device with MgF2 thickness of 1.0nm is 3.93cd / A and the maximum optical power efficiency is 1.58lm / W. Embedded MgF2 devices increased by 95% and 110% respectively.
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