S波段单片低噪声放大器

来源 :东南大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：cjz1107

【摘要】

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S波段单片低噪声放大器采用了0．5μm φ3英寸(76．2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，由三级自偏电路构成，单电源(+5V)供电．对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后，随机抽取

【作者】

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彭龙新李建平蒋幼泉魏同立

【机构】

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东南大学微电子中心,南京电子器件研究所

【出处】

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东南大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2004年1期

【关键词】

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赝配高电子迁移率晶体管微波单片集成电路单片低噪声放大器静电 pseudomophic high electron mobility transistor

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S波段单片低噪声放大器采用了0．5μm φ3英寸(76．2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，由三级自偏电路构成，单电源(+5V)供电．对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后，随机抽取一定数量的样品装架测量，并对放大器进行了增益和相位的统计．统计表明：在S波段带宽300MHz范围内，增益在24．5～26dB范围内，相位线性度小于1°，相位偏差±7°，噪声系数最大1．4dB，输入输出驻波最大1．4，1dB压缩输出功率大于10．5dBm，另外，还对放大器进行了高温、低温环境

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