激光剥离技术中GaN材料温度场的研究

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【摘要】

：

对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型.计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布.得到实现激光

【作者】

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王婷郭霞郭伟玲牛南辉沈光地

【机构】

：

北京工业大学电控学院

【出处】

：

激光杂志

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

温度场剥离一维模型脉冲激光 GAN temperature field lift - off 1 - D model pulse laser

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对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型.计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布.得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限约为1400Hz,阈值条件下剥离过程中高温区分布限制在100nm以内.从而证明GaN基发光二极管(LED)外延结构无损伤激光剥离的可行性,并且为激光剥离技术参数的选取提供了理论依据.

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