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低温红外光谱在半导体材料的结构、成分分析中有非常广泛的应用。本文从样品制备、仪器条件2个方面论述了低温傅立叶变换红外光谱仪分析半导体硅材料中间隙氧、代位碳及Ⅲ族、Ⅴ族杂质时的影响因素和预防措施,为低温红外分析技术的广泛应用提供了理论指导。
低温红外分析半导体硅材料影响因素研究
【摘 要】
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低温红外光谱在半导体材料的结构、成分分析中有非常广泛的应用。本文从样品制备、仪器条件2个方面论述了低温傅立叶变换红外光谱仪分析半导体硅材料中间隙氧、代位碳及Ⅲ族
【机 构】
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云南华测检测认证有限公司,昆明冶金研究院
【出 处】
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检验检疫学刊
【发表日期】
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2019年6期
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