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本文简化了MOSFET伏安特性的精确公式,得到了一个能反映27℃～300℃硅集成MOSFET=级温度效应的简单方程。并用该方程修正和完善了宽温区,耐高温MOSFET的ZTC模型。把原有公式在饱和区误差从29％以上,减小到8％以下。理论分析和实验结果都说明了本文的结论是正确的。
宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性
【摘 要】
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本文简化了MOSFET伏安特性的精确公式,得到了一个能反映27℃～300℃硅集成MOSFET=级温度效应的简单方程。并用该方程修正和完善了宽温区,耐高温MOSFET的ZTC模型。把原有公式在
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1993年2期
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