【摘 要】
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采用MCNP4B仿真了能量为1-100keV的单能X射线与硅半导体探测器发生相互作用的过程。仿真结果表明,当X射线能量较低时,在探测器的硅半导体上沉积能量较低,随着X射线光子能量升
【机 构】
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防化研究院第二研究所,防化研究院第二研究所
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采用MCNP4B仿真了能量为1-100keV的单能X射线与硅半导体探测器发生相互作用的过程。仿真结果表明,当X射线能量较低时,在探测器的硅半导体上沉积能量较低,随着X射线光子能量升高,沉积能量增大,但是在探测器的整个能量段,沉积能量并非线性增加,而是有一定的涨落,经检验,5个探测器在其工作能段范围内探测效率呈正态分布。
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