【摘 要】
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本文讨论了辉光放电(GD)制备的a-SiN_x:H光电导随入射光子能量、光强和温度的变化关系,定量地考察了带隙、带尾态的宽度、带隙内悬键态密度与氮含量的关系。提出了N原子在非
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,曲阜师范大学物理系
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本文讨论了辉光放电(GD)制备的a-SiN_x:H光电导随入射光子能量、光强和温度的变化关系,定量地考察了带隙、带尾态的宽度、带隙内悬键态密度与氮含量的关系。提出了N原子在非晶硅网络中一种可能的结合方式,使用修正后的Mott-CFO隙态分布模型和Rose·Shocklewy-Simmons公式,数值计算了光电导随温度的变化关系。与实验比较,给出了隙态分布的位置、宽度和高度,也给出了电子迁移率和复合系数。理论计算与实验测量符合较好。
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