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为了提高氧化锌(ZnO)压敏电阻的电学性能,采用常规烧结并在ZnO压敏电阻中掺杂预先合成的BiSbO4和Zn2SiO4,研究不同掺杂比例对ZnO压敏电阻的微观结构、电学性能、通流能力的影响.结果 表明:ZnO压敏电阻在掺杂BiSbO4和Zn2SiO4后,能够有效抑制ZnO晶粒变大,晶体结构变得致密均匀,致密性有所提高,有效提高压敏特性和通流能力.BiSbO4和Zn2SiO4掺杂比例为3∶1的样品综合性能比较优异,样品的致密度为5.58 g· cm-3,压敏电位梯度达到425 V· mm-1,非线性系数为70,漏电流为1.2×10-7A·cm-2,能量耐受能力达到334.21 J·cm-3,残压比为2.5.