界面调控VO<sub>2</sub>薄膜金属–绝缘相变研究

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本文选取目前发现的能够在最接近室温的条件下产生金属–绝缘转变(MIT)的氧化物功能材料VO2薄膜为研究对象,探究表面重构的斜切a面蓝宝石基底对VO2薄膜结构与性质的调控作用。通过高温退火处理使朝[0001]方向斜切0?、1?、3?的a面蓝宝石基底表面重构,并用原子力显微镜观察到斜切基片重构后表面形成峰–谷形状的沟槽。使用脉冲激光沉积法在斜切基片上制备VO2薄膜,XRD表征显示成功制备了外延的VO2薄膜。为了精确表征朝[0001]方向的不同斜切角度的a面蓝宝石基片上VO2薄膜晶格常数的变化,分别在面内与面外
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