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用14MeV中子辐照掺有稀土元素杂质及未掺稀土元素杂质的n型Si,并用红外吸收谱仪和四探针法测量其参数在辐照前后的变化。红外吸收谱测量表明,在单晶硅中的杂质未形成新的自身成份的红外吸收峰,但电阻率测量表明,掺入稀土元素Er和Gd的Si电阻率虽都随着中子注入量的增大而增大,但Si(Er)和S(的电阻率比率的变化远远小于Si的变化。