制备室温CdSe探测器的研究

来源 :四川大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：falconcarmack

【摘要】

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报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)&

【作者】

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宋芳赵北君朱世富金应荣邵双运杨文彬王学敏于丰亮

【机构】

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四川大学材料科学系四川大学材料科

【出处】

：

四川大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2001年S1期

【关键词】

：

多级提纯垂直气相法 CdSe单晶体半导体探测器 muti-step purification vertical vapor translation metho

【基金项目】

：

国家教育部重点科技基金,, 教育部骨干教师基金

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报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理技术 ,初步摸索出了一套制备CdSe探测器的有效工艺 .

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