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本发明公开的制备p型氧化锌晶体薄膜的方法步骤如下:先将衬汽相沉积生长室中,生长室真空度抽到至少10^-2Pa,然后加热衬底,使衬底温度底表面清洗后放入金属有机化学为350~950℃,控制生长室内部压力在10^-2-10000Pa范围里,用高纯载气将高纯有机锌源输入生长室中,同时将高纯N2O和高纯NO气体输入生长室,有机锌源、N2O和NO的摩尔流量分别为0.1—1×10^3μmol/min、