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全面介绍了等离子增强化学汽相沉积(PECVD)纳米氮化硅(SiNx:H)光电薄膜的技术发展及现状,分析了PECVD法沉积的SiNx:H薄膜对多晶硅太阳电池的体钝化和表面钝化机理.
多晶硅太阳电池的氮化硅钝化
【摘 要】
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全面介绍了等离子增强化学汽相沉积(PECVD)纳米氮化硅(SiNx:H)光电薄膜的技术发展及现状,分析了PECVD法沉积的SiNx:H薄膜对多晶硅太阳电池的体钝化和表面钝化机理.
【机 构】
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西安交通大学太阳能研究所,上海交通大学纳米研究院
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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2001年6期
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