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理想的稀磁半导体具有良好的室温铁磁性,氮化铝(AlN)稀磁半导体虽然具有宽的带隙和透光性,但由实验重复性差等原因,一直未得到广泛的应用。采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算掺杂硼(B)的AlN中局域磁矩的变化规律。通过分析电子结构发现,掺杂B后的A lN稀磁半导体中出现了明显的局域磁矩,其大小为2μB 。