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本文探讨了用多个幅度台阶（包括０和１）对阵列进行稀疏的多台阶稀疏技术，与统计密度锥削稀疏技术（幅度仅用０和１）相比，该技术能明显改善稀疏阵天线的副瓣电平，文中用概率方法和最佳一致逼近概念进行了详细阐述，并给出了峰值副瓣电平低于给定值的概率。
阵列多台阶稀疏技术
【摘 要】
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本文探讨了用多个幅度台阶（包括０和１）对阵列进行稀疏的多台阶稀疏技术，与统计密度锥削稀疏技术（幅度仅用０和１）相比，该技术能明显改善稀疏阵天线的副瓣电平，文中用概率方法和最佳一致逼近
【机 构】
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南京电子技术研究所403室
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1999年3期
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