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在管式电炉中，采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体。通过XRD和AFM对生成物进行了分析，并研究了各种工艺参数如反应温度、保温时间、NH3的流量及反应气氛等因素对生成GaN粉体的影响。结果表明用高纯Ga2O3与NH3在温度为1100℃，NH3流量为26L／h时能够合成高纯度的六方GaN粉体。