空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tianzhiyou258

【摘要】

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分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了C

【作者】

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曹国华关敏曹俊松李林森曾一平

【机构】

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中国科学院半导体研究所新材料部

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

：

2008年S1期

【关键词】

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有机电致发光空穴注入异质结 organic electroluminescent devices hole injection heterojunction

【基金项目】

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国家自然科学基金(60876043)

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分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和142%(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡,器件的效率得到提高,最大效率为2.8cd/A。C60厚度从2nm增加到5nm后,器件性能急剧降低。

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