论文部分内容阅读
分析了衬底驱动MOSFET的工作原理,并对其低压特性进行了分析和仿真.基于PMOS衬底驱动和电流反馈技术,设计了亚1 V低功耗与温度成正比电压基准源.在 0.8 V电源电压、温度范围为0～100℃时,输出电压的温度系数为 0.926 mV/K,电源电流为4.5 μA.当电源电压在0.7～1.0 V变化时,室温下的输出电压约为302 mV.