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该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立AlGaN/GaNHEMT器件二维模型。针对自加热效应,在不同的直流偏置电压下,对AlGaN/GaN HEMT器件进行了二维数值分析,获得相应的热形貌分布。
AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真
【摘 要】
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该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立AlGaN/GaNHEMT器件二维模型。针对自加热效应,在不同的直流偏置电压下,对AlGaN/GaN HEMT器件进行了二维数
【机 构】
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杭州电子科技大学电子信息学院
【出 处】
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杭州电子科技大学学报
【发表日期】
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2011年3期
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