错误相关负电位与内化心理障碍

来源 :中国健康心理学杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong561
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错误相关负电位(ERN)是亨件相关电位的一个负成分,出砚在大脑错谈反应后50~100ma,产生于大脑前扣带in皮质(ACC),可以反映大脑的错误检侧、冲突监控、强化学习等功能.已有研究发砚无论是内化心理阵碍还是外化心理障碍均存在ERN活动异常.提示ERN可能属于内化和外化心理降碍的内表型,或许能作为心理降碍早期诊断或预浏的容观指标.本丈通过国内外丈故回顾.试图了解抑郁建、焦虑症和任迫瘫等内化心理阵碍的ERN特,点及相关机创.并在此基础上对未来的研究提出一些不成熟的想法.
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