DC~20GHz宽带单片数控衰减器

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介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC~20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波比≤1.5∶1。通过设计结果和测试结果对比,表明本单片的设计方法可行。最终,单片电路流片一次成功,实现了设计目标。电路尺寸为2.7mm×1.4mm×0.1mm,控制电压为0V和-5V,无直流功耗。
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