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采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触.通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该接触的影响,并提出了一种新的二次退火的方法.结果表明,经过二次退火后,Al、Ti、GaN发生了界面固相反应,其接触性能明显提高.