二次退火对Al／Ti／n—GaN／Si欧姆接触的影响

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bigxiong

【摘要】

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采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触.通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该

【作者】

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邵庆辉李蓓李嘉炜黄靖云叶志镇

【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

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微纳电子技术

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

二次退火 Al/Ti/n-GaN/Si 欧姆接触氮化镓界面固相反应 ohmic contact Sibasedn-GaN secondary anneali

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采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触.通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该接触的影响,并提出了一种新的二次退火的方法.结果表明,经过二次退火后,Al、Ti、GaN发生了界面固相反应,其接触性能明显提高.

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