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用扫描电子显微镜结合电子探针微分析技术测定了溅谢诱发的靶点表面成份变化，观察了表面形貌结构凸起和凹陷处的成分差别，实验结果表明，单相合金Ｃｕ－１２ａｔ．％Ａｕ在３０ｋｅＶ Ａｒ＾＋离子溅射过程中产生了“表面元素局域富集”现象。根据“溅射－形貌增强元素局域富集模型”，它包括元素局域富集初级阶段和毛细压力发生的选择性诱发力的作用，并据此对实验结果进行了讨论。