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本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜（na-Si：H），系统研究了掺杂气体比（B2H6／SiH4）、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响。研究表明，与传统掺硼非晶硅不同．随硼掺杂浓度的增加．掺硼na-Si：H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和，其电导激活能Ea≈0．50eV、σpb/σd〉10^2，具有应用于太阳能电池p型层的潜力。