论文部分内容阅读
在Si基SiO2材料上设计并制作了中心波长为1．55μm、通道间隔为0．8nm的8×8阵列波导光栅（AWG）。详细介绍了器件的设计、制作和测试，并对测试结果及工艺误差进行了深入的分析讨论。封装后的测试结果显示，器件的3dB带宽为0．22nm；中央通道输入时，最小和最大插入损耗分别为4．01dB和6．32dB；边缘通道输入时，最小和最大插入损耗分别为6．24dB和9．02dB；对比不同通道输入时输出通道的中心波长，其偏移量低于0．039nm；器件的通道间串扰小于-25dB；偏振依赖损耗（PDL）小