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离子束增强沉积得到的TiN表面改性薄层的电子衍射强度与氮离子的注入能量有关,利用自编程序对其电子衍射强度和键强度作了计算,结果表明注入能量较高时出现的电子衍射强度异常现象是由于晶格中部分N原子的间隙位置发生了变化,这导致键强度也产生相应的变化.
离子束增强沉积TiN的电子衍射强度和键强度
【摘 要】
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离子束增强沉积得到的TiN表面改性薄层的电子衍射强度与氮离子的注入能量有关,利用自编程序对其电子衍射强度和键强度作了计算,结果表明注入能量较高时出现的电子衍射强度异
【出 处】
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金属学报
【发表日期】
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2002年z1期
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