,Memory Behaviors Based on ITO/Graphene Oxide/A1 Structure

来源 :中国物理快报（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuanjinxing1987

【作者】

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【机构】

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Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays & Institute of Advanced Materials,Ji

【出处】

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中国物理快报（英文版）

【发表日期】

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2015年7期

【关键词】

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