RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kpku88

【摘要】

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用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁

【作者】

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王晓亮胡国新王军喜刘新宇刘键刘宏新孙殿照曾一平

【机构】

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中国科学院半导体研究所,中国科学院微电子中心

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

高电子迁移率晶体管氮化镓场效应晶体管 RF-MBE HEMT GaN FET RF-MBE

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用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.

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