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采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd：LuVO4晶体，利用Cr^4＋：YAG晶体作为可饱和吸收元件，实现了1．06μm激光的被动调Q运转，在泵浦功率为19．1W时，获得最高平均输出功率为4．58W，脉冲宽度为84ns，单脉冲能量为36．6μJ以及峰值功率为436．2W的激光脉冲。
LD泵浦Nd：LuVO4／Cr^4＋：YAG被动调Q激光器
【摘 要】
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采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd：LuVO4晶体，利用Cr^4＋：YAG晶体作为可饱和吸收元件，实现了1．06μm激光的被动调Q运转，在泵浦功率为19．1W时，获得最高平均输出功率为4．58W，脉冲宽度为84n
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室,深圳大学工程技术学院
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2006年8期
【基金项目】
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教育部优秀青年教师资助计划、教育部留学回国人员科研启动基金（2004.527）和山东省自然科学基金资助（Y2004F01）
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