【摘 要】
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本文叙述一种１０厘米波段低噪声微波晶体管放大器的设计。已获得噪声系数２－３ｄｂ。三级放大器频率复盖±１０％，增益２０ｄｂ以上。电路采用微波集成电路，制在双面敷铜聚四氟乙烯纤维板以及氧化铝陶瓷两
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本文叙述一种１０厘米波段低噪声微波晶体管放大器的设计。已获得噪声系数２－３ｄｂ。三级放大器频率复盖±１０％，增益２０ｄｂ以上。电路采用微波集成电路，制在双面敷铜聚四氟乙烯纤维板以及氧化铝陶瓷两种基片上。利用电抗斜率补偿的方法改善频率特性，使增益不平坦度达到约１ｄｂ。
This article describes the design of a 10 cm band low noise microwave transistor amplifier. The noise figure has been obtained 2-3db. Three amplifier frequency coverage ± 10%, gain 20db above. Circuit using microwave integrated circuits, system made of double-sided copper-clad PTFE fiberboard and alumina ceramic substrate. The use of reactance slope compensation method to improve the frequency characteristics, the gain of non-flatness of about 1db.
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