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以g-C3N4为原料快速合成Ti2Al(C,N)陶瓷及其层状生长机制研究

来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhouyonge

【摘 要】

：

以Ti、Al和g-C3N4粉体为原料,采用快速、能耗低的自蔓延高温合成法制备出Ti2Al(C,N)。当Ti、Al和g-C3N4的物质的量比为2∶1.05∶1时,Ti2Al(C,N)的含量最高。在反应过程中,Al

【作 者】

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李啸轩 张强 朱春城 

【机 构】

：

哈尔滨师范大学化学化工学院

【出 处】

：

材料导报

【发表日期】

：

2020年4期

【关键词】

：

Ti2Al(C N) 自蔓延高温合成 层状生长机制 Ti2Al(C N)self-propagating high temperature synthesisl 

【基金项目】

：

黑龙江省自然科学基金重点项目(ZD2017011),国家自然科学基金(51572064)

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以Ti、Al和g-C3N4粉体为原料,采用快速、能耗低的自蔓延高温合成法制备出Ti2Al(C,N)。当Ti、Al和g-C3N4的物质的量比为2∶1.05∶1时,Ti2Al(C,N)的含量最高。在反应过程中,Al的熔化促进了Ti(s)和g-C3N4(s)反应生成Ti(C,N)(s),在降温阶段Ti(s)和Al(l)形成TiAl(s),之后Ti(C,N)(s)和TiAl(s)反应生成片层状的Ti 2Al(C,N)(s)。Ti2Al(C,N)晶粒的层状生长研究表明,Ti2Al(C,N)为二维生长机制,以阶梯状生

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