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研究了用磁环抑制全封闭组合电器(GIS)的特快速暂态过电压(VFTO)。通过高电压模拟试验，观测了铁氧体、非晶磁芯和金属磁粉芯三种材料的磁环，特别观测了磁饱和的影响。试验结果表明，在适当的参数配合下，磁环能够有效抑制特快速暂态过电压的幅值和陡度。
用磁环抑制GIS的VFTO的高电压模拟试验
【摘 要】
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研究了用磁环抑制全封闭组合电器(GIS)的特快速暂态过电压(VFTO)。通过高电压模拟试验，观测了铁氧体、非晶磁芯和金属磁粉芯三种材料的磁环，特别观测了磁饱和的影响。试验结果
【机 构】
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清华大学电机系北京100084,西安高压开关厂西安710077
【出 处】
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电工技术学报
【发表日期】
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2004年7期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(50077012),,国家机械工业局九五攻关项目(97-312-02-04A)
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