【摘 要】
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针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响.通过自动测试设备(ATE),有效地提取了FD-SOI存储器在多种
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所,兰州730000;中国科学院大学,北京100049;复旦微电子集团股份有限公司,上海200433
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针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响.通过自动测试设备(ATE),有效地提取了FD-SOI存储器在多种测试环境下的电学性能参数.测试结果表明,不同的工艺角对输出电平和工作状态的影响较小.随着电压的增加,静态电流随之增加,最大工作频率呈现出波动性的变化.器件在-55℃～125℃范围内性能稳定.高频特性在25℃表现最好,低压特性在高温下最优.总剂量累积到3 kGy(Si)时,器件功能仍正常,内核电流与I/O电流均明显增大.FD-SOI SRAM自身优点多,工作稳定性较好,具有极好的应用前景.
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