分子束外延生长ZnO薄膜及性能研究

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：quchaolove

【摘要】

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用分子束外延(MBE)和氧气氛方法,并改变束源炉和衬底生长温度,在Si(100)衬底上,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题,生长得到ZnO薄膜.在ZnO/Zn/Si(100)薄膜样

【作者】

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周映雪史向华俞根才张新夷阎文胜韦世强谢亚宁

【机构】

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复旦大学物理系,长沙电力学院物理系,复旦大学物理系,复旦大学同步辐射研究中心,中国科学技术大学国家同步辐射实验室,中国科学院高能物理研究所同步辐射室

【出处】

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核技术

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

分子束外延 ZNO薄膜性能扩展X射线吸收精细结构 X射线衍射氧化锌半导体材料同步辐射 MBE ZnO EXAFS XRD

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用分子束外延(MBE)和氧气氛方法,并改变束源炉和衬底生长温度,在Si(100)衬底上,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题,生长得到ZnO薄膜.在ZnO/Zn/Si(100)薄膜样品的X射线衍射(XRD)谱中,观测到ZnO的(100)、(002)、(101)、(102)和(103)等衍射峰;用原子力显微镜(AFM)观测ZnO薄膜的表面形貌,为直径约80-90nm的量子点,表明已得到具有纳米结构的ZnO薄膜.用同步辐射EXAFS技术研究了ZnO薄膜的局域结构,得到有关的几个结构参数.

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